DMN52D0UVT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
DMN52D0UVT-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급자 장치 패키지：
TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
구성：
2 N-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
50V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
2Ohm @ 50mA, 5V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
430mA (Ta)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
1.4nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
41pF @ 25V
전력 - 최대：
500µW (Ta)
