DMN65D7LFR4-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1010
DMN65D7LFR4-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
260mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
600mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
41 pF @ 30 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
5Ohm @ 40mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.04 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
X2-DFN1010-4 (Type B)
패키지/케이스：
4-XDFN Exposed Pad
