DMN65D8LV-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
DMN65D8LV-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
5V, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
310mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
370mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
22 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
3Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.87 nC @ 10 V
