DMNH6010SCTB-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
DMNH6010SCTB-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지：
TO-263AB (D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
46 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
10mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2692 pF @ 25 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
133A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
5W (Ta), 375W (Tc)
