DMP10H4D2SQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
DMP10H4D2SQ-13 Specifications
장착 유형:
Surface Mount
등급:
Automotive
기술:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대):
±20V
드레인-소스 전압(Vdss):
100 V
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
1.8 nC @ 10 V
FET 유형:
P-Channel
Qualification:
AEC-Q101
패키지/케이스:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지:
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐):
4V, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C:
270mA (Ta)
Power Dissipation (Max):
380mW (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs:
4.2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
87 pF @ 25 V