DMP2008USS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMP2008USS-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지：
8-SO
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta)
Vgs(최대)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
159 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
13A (Ta), 38A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
9mOhm @12A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6820 pF @ 10 V
