DMP2016UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMP2016UFDF-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±8V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.5V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 8 V
패키지/케이스：
6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
공급자 장치 패키지：
U-DFN2020-6 (Type F)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
9.5A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
900mW (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
15mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1710 pF @ 10 V
