DMP65H11D0HSS-13
MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
DMP65H11D0HSS-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지：
8-SO
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
Vgs(최대)：
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 10 V
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
670 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
11Ohm @ 270mA, 10V
