DMT10H009SCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT10H009SCG-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
공급자 장치 패키지：
V-DFN3333-8 (Type B)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2085 pF @ 50 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 20A, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
14A (Ta), 48A (Tc)
