DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMT10H010LSSQ-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
등급：
Automotive
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지：
8-SO
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
12A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
58.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4166 pF @ 50 V
