DMT10H032SFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMT10H032SFVW-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount, Wettable Flank
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
8 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
35A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
32mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
544 pF @ 50 V
