DMT10H052LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
DMT10H052LFDF-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
패키지/케이스：
6-UDFN Exposed Pad
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
5A (Ta)
공급자 장치 패키지：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
52mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
258 pF @ 50 V
