DMT10H9M9SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT10H9M9SCT Specifications
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
6V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-220-3
공급자 장치 패키지：
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.9V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2085 pF @ 50 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
8.8mOhm @ 20A, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
99A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.3W (Ta), 156W (Tc)
