DMT12H065LFDF-7
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
DMT12H065LFDF-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
Vgs(최대)：
±12V
패키지/케이스：
6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1W (Ta)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
4.3A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.5 nC @ 10 V
드레인-소스 전압(Vdss)：
115 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
3V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
252 pF @ 50 V
