DMT12H090LFDF4-7
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
DMT12H090LFDF4-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
Vgs(최대)：
±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
900mW (Ta)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.4A (Ta)
드레인-소스 전압(Vdss)：
115 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
3V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
251 pF @ 50 V
공급자 장치 패키지：
X2-DFN2020-6
패키지/케이스：
6-PowerXDFN
