DMT3009UFVW-13
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
DMT3009UFVW-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount, Wettable Flank
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.8V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(최대)：
±12V
공급자 장치 패키지：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
11mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.4 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
894 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
