DMT32M4LFG-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMT32M4LFG-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
8-PowerVDFN
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
공급자 장치 패키지：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
67 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
30A (Ta), 100A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4366 pF @ 15 V
