DMT63M6LPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMT63M6LPSW-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount, Wettable Flank
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
패키지/케이스：
8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지：
PowerDI5060-8 (Type UX)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
96A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
4.1mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2479 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.7W (Ta), 70.6W (Tc)
