DMT67M8LCG-7
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
DMT67M8LCG-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
패키지/케이스：
8-PowerVDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
900mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
37.5 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
V-DFN3333-8 (Type B)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2130 pF @ 30 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
16A (Ta), 64.6A (Tc)
