DMT67M8LSS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
DMT67M8LSS-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지：
8-SO
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
12A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2130 pF @ 30 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
6.6mOhm @ 16.5A, 10V
