DMTH10H4M6SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H4M6SPSW-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount, Wettable Flank
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
패키지/케이스：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)：
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4327 pF @ 50 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
21A (Ta), 115A (Tc)
