DMTH6010LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
DMTH6010LPSW-13 Specifications
장착 유형:
Surface Mount
FET 유형:
N-Channel
기술:
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss):
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐):
4.5V, 10V
Vgs(최대):
±20V
작동 온도:
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지/케이스:
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2090 pF @ 30 V
공급자 장치 패키지:
PowerDI5060-8 (Type Q)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C:
15.5A (Ta), 80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.9W (Ta), 75W (Tc)