DMTH69M8LFVW-13
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
DMTH69M8LFVW-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount, Wettable Flank
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
패키지/케이스：
8-PowerVDFN
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Vgs(최대)：
±16V
공급자 장치 패키지：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1925 pF @ 30 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
