DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWS120H100SM4 Specifications
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
1200 V
공급자 장치 패키지：
TO-247-4
패키지/케이스：
TO-247-4
기술：
SiCFET (Silicon Carbide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
15V
Power Dissipation (Max)：
208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
52 nC @ 15 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
37.2A (Tc)
Vgs(최대)：
+19V, -8V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 20A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1516 pF @ 1000 V
