DMWSH120H28SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWSH120H28SM4Q Specifications
장착 유형：
Through Hole
등급：
Automotive
FET 유형：
N-Channel
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
100A (Tc)
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
기술：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압(Vdss)：
1200 V
공급자 장치 패키지：
TO-247-4
패키지/케이스：
TO-247-4
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.6V @ 17.7mA
Power Dissipation (Max)：
429W (Tc)
Vgs(최대)：
+19V, -8V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
28.5mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
156.3 nC @ 15 V
