DSC04C065D1-13
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
DSC04C065D1-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
속도：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
기술：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)：
650 V
작동 온도 - 접합：
-55°C ~ 175°C
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Average Rectified (Io)：
4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
170 µA @ 650 V
공급자 장치 패키지：
TO-252 (Type WX)
커패시턴스 @ Vr, F：
150pF @ 100mV, 1MHz
