DSC06065D1
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252
DSC06065D1 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
기술：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)：
650 V
속도：
No Recovery Time > 500mA (Io)
역복구 시간(trr)：
0 ns
작동 온도 - 접합：
-55°C ~ 175°C
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Average Rectified (Io)：
6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
200 µA @ 650 V
공급자 장치 패키지：
TO-252 (Type WX)
커패시턴스 @ Vr, F：
226pF @ 100mV, 1MHz
