FES1JE
DIODE GEN PURP 600V 1A F1A T&R
FES1JE Specifications
장착 유형：
Surface Mount
기술：
Standard
속도：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io)：
1A
작동 온도 - 접합：
-55°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.3 V @ 1 A
역복구 시간(trr)：
35 ns
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)：
600 V
커패시턴스 @ Vr, F：
20pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 600 V
패키지/케이스：
DO-219AA
공급자 장치 패키지：
F1A (DO219AA)
