ZXMN10A08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
ZXMN10A08E6QTA Specifications
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
SOT-23-6
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
6V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
공급자 장치 패키지：
SOT-26
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.7 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 3.2A, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
405 pF @ 50 V
