BAS16HLPQ-7B
DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
BAS16HLPQ-7B Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Пакет/кейс：
0402 (1006 Metric)
Технологии：
Standard
Скорость：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Qualification：
AEC-Q101
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)：
100 V
Рабочая температура - соединение：
-65°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.25 V @ 150 mA
Время обратного восстановления (trr)：
4 ns
Емкость @ Вр, Ф：
1.5pF @ 0V, 1MHz
Пакет устройств поставщика：
X1-DFN1006-2
Current - Average Rectified (Io)：
215mA
Current - Reverse Leakage @ Vr：
500 nA @ 80 V
