DMN3032LQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMN3032LQ-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Пакет/кейс：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика：
SOT-23-3
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
5.4A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
10.1 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
481 pF @ 15 V
