DMN52D0UVT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
DMN52D0UVT-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика：
TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Конфигурация：
2 N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
50V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
2Ohm @ 50mA, 5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
430mA (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
1.4nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
41pF @ 25V
Мощность - Макс.：
500µW (Ta)
