DSC04C065D1-13
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
DSC04C065D1-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Скорость：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Технологии：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)：
650 V
Рабочая температура - соединение：
-55°C ~ 175°C
Пакет/кейс：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Average Rectified (Io)：
4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
170 µA @ 650 V
Пакет устройств поставщика：
TO-252 (Type WX)
Емкость @ Вр, Ф：
150pF @ 100mV, 1MHz
