FUS1ME
DIODE GEN PURP 1KV 1A F1A
FUS1ME Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
Standard
Скорость：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io)：
1A
Рабочая температура - соединение：
-55°C ~ 150°C
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)：
1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 1 A
Время обратного восстановления (trr)：
75 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 1000 V
Емкость @ Вр, Ф：
10pF @ 4V, 1MHz
Пакет/кейс：
DO-219AA
Пакет устройств поставщика：
F1A (DO219AA)
