GBJS4010

MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBJS TU

GBJS4010
Номер детали:
GBJS4010
Производитель:
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание:
MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBJS TU
RoHS:
YES
Datasheet:
PDF PDF
Manufacturer Standard Lead Time:
TBD
Standard Pack Quantity:
0

GBJS4010 Specifications

Тип монтажа:
Through Hole
Технологии:
Standard
Тип диода:
Single Phase
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr:
5 µA @ 1000 V
Напряжение — пиковое обратное (макс.):
1 kV
Пакет/кейс:
4-SIP, GBJ
Current - Average Rectified (Io):
40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.1 V @ 20 A
Пакет устройств поставщика:
GBJS

Products You May Be Interested In