ZXMN10A08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
ZXMN10A08E6QTA Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
SOT-23-6
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
6V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Пакет устройств поставщика：
SOT-26
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.7 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 3.2A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
405 pF @ 50 V
