DMN1003UFDE-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN1003UFDE-7 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
22A (Ta)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
漏源电压 (Vdss)：
12 V
Vgs（最大）：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
45 nC @ 8 V
包装/箱：
6-PowerUDFN
供应商设备包：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3mOhm @ 15A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2551 pF @ 6 V
