DMN1019USNQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
DMN1019USNQ-7 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
包装/箱：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
漏源电压 (Vdss)：
12 V
Vgs（最大）：
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.2V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
800mV @ 250µA
供应商设备包：
SC-59-3
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
9.3A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2426 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
680mW (Ta)
