DMN2005UFGQ-7
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
DMN2005UFGQ-7 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.2V @ 250µA
供应商设备包：
POWERDI3333-8
Power Dissipation (Max)：
1.05W (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6495 pF @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
18A (Ta), 50A (Tc)
