DMN2013UFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN2013UFDEQ-7 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.5V, 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10.5A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
包装/箱：
6-PowerUDFN
Power Dissipation (Max)：
660mW (Ta)
供应商设备包：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
11mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
25.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2453 pF @ 10 V
