DMN2029UVT-7
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
DMN2029UVT-7 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
TSOT-26
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
700mW (Ta)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.8A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 10 V
