DMN2120UFCL-7
MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN
DMN2120UFCL-7 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
130 pF @ 10 V
包装/箱：
6-PowerUFDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
2.8 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
450mW (Ta)
供应商设备包：
U-DFN1616-6 (Type K)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
100mOhm @ 3.6A, 4.5V
