DMN29M9UFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMN29M9UFDF-7 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.2V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
包装/箱：
6-UDFN Exposed Pad
供应商设备包：
U-DFN2020-6 (Type F)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
11A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
13.5mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
655 pF @ 8 V
