DMN32D0LFB4-7B
MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
DMN32D0LFB4-7B 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
350mW (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.2V @ 250µA
包装/箱：
3-XFDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 4.5 V
供应商设备包：
X2-DFN1006-3
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.2Ohm @ 100mA, 4V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
440mA (Ta)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 2.5V, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
44.8 pF @ 15 V
