DMN62D4LFB-7B
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
DMN62D4LFB-7B 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
5V, 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2Ohm @ 500mA, 10V
包装/箱：
3-UFDFN
供应商设备包：
X1-DFN1006-3
Power Dissipation (Max)：
500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.1 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
407mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
40 pF @ 30 V
