DMN65D7LFR4-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1010
DMN65D7LFR4-7 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
260mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
600mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
41 pF @ 30 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
5Ohm @ 40mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.04 nC @ 10 V
供应商设备包：
X2-DFN1010-4 (Type B)
包装/箱：
4-XDFN Exposed Pad
