DMN65D8LV-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
DMN65D8LV-7 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
5V, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
310mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
370mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
22 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.87 nC @ 10 V
