DMNH6010SCTB-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
DMNH6010SCTB-13 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包：
TO-263AB (D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
46 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
10mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2692 pF @ 25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
133A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
5W (Ta), 375W (Tc)
