DMNH6012SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMNH6012SPSWQ-13 规格
年级：
Automotive
安装类型：
Surface Mount, Wettable Flank
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerTDFN
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
50A (Tc)
供应商设备包：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1926 pF @ 30 V
