DMP10H4D2SQ-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
DMP10H4D2SQ-7 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.8 nC @ 10 V
场效应管类型：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
包装/箱：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4V, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
270mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
380mW (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
87 pF @ 25 V
